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論文寫在雪域高原 實現找礦理論和實踐雙突破

廣州地球化學研究所?王核

王核，現任中國科學院廣州地球化學研究所研究員、礦產勘查學科組組長。主要開展礦床學、成礦預測和礦產勘查等領域研究，陸續發現白龍山超大型鋰礦等10多個礦床（點），為滿足我國戰略資源重大需求作出重要貢獻。

一、瞄準學科前沿，強化使命擔當

王核秉承“敬業、勤業、精業、樂業”的理念，不忘報國初心、30年如一日潛心研究。圍繞西昆侖典型礦床和成礦規律，歷經艱苦勘探，在找礦理論和實踐上取得重大突破，為實現我國稀有金屬成礦、找礦理論躋身國際前列奠定堅實基礎，也為解決我國鋰資源短缺難題作出突出貢獻。

二、滿足國家重大需求，推動科技創新

面向國家戰略礦產資源重大需求，在稀有金屬成礦理論與找礦預測方面產出了一系列高水平研究成果。

一是創建“偉晶巖脈對稱分帶找礦模式”。通過研究白龍山一帶的偉晶巖脈群分帶性、不同區帶偉晶巖巖脈的成礦特征，創建了“偉晶巖脈對稱分帶找礦模式”，總結了偉晶巖型鋰礦床的三個找礦要素，相關成果發表在Lithos和Ore Geology Reviews等刊物上，為鋰礦的找礦勘查提供了有力的理論依據。

二是發現白龍山世界級超大型鋰礦床。率先在白龍山巖體北部發現白龍山鋰礦，與隨后發現的雪鳳嶺鋰礦構成長15km的含礦偉晶巖脈群（北礦帶），在白龍山巖體南側陸續發現了雪盆、雙牙等鋰礦，構成了長25km的南礦帶。白龍山超大型鋰礦床預測潛在資源量還有氧化鋰506萬噸、氧化鈹16萬噸、氧化銣31萬噸等，鋰、鈹、銣、鉭稀有金屬均達到超大型。相關成果發表在Lithos和《大地構造與成礦學》等刊物。

三是提出在西昆侖-東昆侖-川西存在一個2800km長的古特提斯域的鋰成礦帶。在前期研究基礎上，認為喀喇昆侖存在一個600km的成礦帶，并提出在西昆侖-東昆侖-川西存在一個2800km的古特提斯域鋰成礦帶及“LRN”(Li-Rb-Nb)鋰礦新類型，豐富了相關成礦理論，研究成果在《地質學報》、Economic Geology上發表。

四是白龍山鋰礦的初步勘探和開采取得重要突破。2018年以來，首采區3.02平方公里備案資源量：氧化鋰68.24萬噸、氧化鈹2.18萬噸、氧化鈮+氧化鉭0.82萬噸。白龍山鋰礦一期300萬噸/年已投入生產，依托其建設的全球最大的鋰礦一體化項目啟動，標志著開發利用進入實質性階段。

三、野外耕耘不輟，成果產生社會經濟效應

王核長期奮斗在雪域高原，腳踏實地、奮勇拼搏，多次與死神擦肩而過。白龍山超大型鋰礦的發現是理論與實踐結合的經典案例，其經濟潛力巨大，僅探礦權出讓即為20億元。按2023年8月碳酸鋰平均市場行情24.5萬元/噸，該礦潛在資源量氧化鋰506萬噸，潛在經濟價值超過3萬億元。

國產化碳化硅晶片的開路人

物理研究所?陳小龍

作為第三代半導體材料，碳化硅晶體是新能源汽車、光伏和5G通訊等急需的戰略性半導體材料，是材料領域發展最快、國際競爭最激烈的方向之一。中國科學院物理研究所先進材料與結構分析實驗室陳小龍研究員帶領團隊攻堅克難20余年，在國內最早開展成果轉化，創建了國內第一家碳化硅晶體產業化公司，實現了我國碳化硅晶片產品從無到有，突破了國外對我國碳化硅晶體生長和加工技術的長期封鎖，帶動了我國碳化硅材料、器件和模塊產業鏈的快速發展。

自主創新，突破關鍵核心技術

至上世紀九十年代末，只有美國等少數幾個發達國家掌握2英寸晶體生長技術，應用于制造先進雷達、航空航天等，但對我國實施嚴格的技術封鎖。自1999年以來，陳小龍帶領團隊從零開始，立足自主創新，開展碳化硅晶體制備的基礎和應用基礎研究。經過20多年的科研攻關，陳小龍攻克了晶體擴徑這一公認的難題，穩定生長出高質量的2至8英寸碳化硅晶體，解決了產生相變、微管等致命缺陷的問題。陳小龍團隊還發明了等面積多線切割技術，新型研磨液和拋光液，大幅降低了加工成本。團隊在碳化硅晶體生長與加工技術方面獲授權專利29項（國際發明專利6項）。

厚積薄發，從基礎研究走向產業化

經過長期的基礎研究階段積累，2006年，陳小龍在無經驗可借鑒的情況下，創辦了國內第一家碳化硅晶體產業化企業——北京天科合達半導體股份有限公司（簡稱“天科合達”），建立了完整的碳化硅晶片生產線。

在產業化過程中，陳小龍帶領團隊持續降低碳化硅晶體缺陷密度，提高晶體質量，產品各項技術指標均達國際先進水平。天科合達向國內100多家科研機構和企業批量供片，產品被應用于某重大工程型號中。近三年晶片累計銷售11.4億元，取得了良好的經濟和社會效益。天科合達在導電型碳化硅襯底供應商中市場排名國內第一、國際第四，2022年國際市場占有率12.8%左右。

鍥而不舍，力爭取得新的突破

碳化硅晶體的國產化，滿足了國家重大需求，帶動了中車、國網、泰科天潤等20余家國內企業進入下游器件、封裝和模塊產業，促使國內形成了完整的碳化硅半導體產業鏈，帶動了我國寬禁帶半導體產業的發展，使得我國的新能源汽車和光伏等產業進入世界前列。陳小龍因在碳化硅研究方面取得的突出成就而獲得中國科學院科技促進發展獎和中國發明協會發明創業特等獎。

陳小龍將帶領團隊繼續專注于提高碳化硅晶體的質量，降低成本，實現8英寸碳化硅襯底規模化生產。幾年前他已帶領團隊研發新的液相法碳化硅晶體生長技術，并在國際上首次生長出性能更加優異的立方碳化硅晶體，今后將向產業推廣，為更穩定性和可靠性功率器件奠定堅實基礎，力爭為我國寬禁帶半導體相關產業做出新的更大貢獻！